МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ ГЕТЕРУВАННЯ ШВИДКОДИФУНДУЮЧИХ ДОМІШОК В ТЕХНОЛОГІЇ ДІОДІВ ШОТТКІ

Віктор Миколайович Литвиненко, Микола Володимирович Богач

Анотація


У статті розглянуті проблеми технології виробництва кремнієвих діодів Шотткі, пов'язані з впливом дефектів і домішок в кремнії на вихід придатних приладів і характеристики різних методів гетерування. Наведено особливості відомих математичних моделей процесів гетерування щвидкодифундуючих домішок в активних областях напівпровідникових приладів, які, зазвичай, для розрахунку ємності гетеруючого шару обмежуються тільки розрахунками коефіцієнтів сегрегації на межі розподілу підкладка -  гетеруючий шар і не враховують характеристик структури активної області та гетеруючого шару. У даній роботі розроблена математична модель, що описує реальний перерозподіл щвидкодифундуючих домішок з активних областей діода Шотткі в гетеруючий шар з урахуванням мікроскопічних характеристик структури, як активної області, так і гетеруючого шару. Результати моделювання дали можливість визначити основні шляхи підвищення ефективності гетерування. В першу чергу необхідно знижувати концентрацію центрів захоплення в планарних легованих областях (активні області діодів) і навпаки підвищувати їх концентрацію в гетеруючому шарі. Також з метою підвищення ефективності використання гетерування слід збільшувати граничну розчинність міжвузольних атомів щвидкодифундуючих домішок в планарних легованих областях і зменшувати її в межах гетеруючого шару. Крім того для поліпшення якості гетерування щвидкодифундуючих домішок необхідно підвищувати ефективність самих центрів захоплення домішок за рахунок введення в гетеруючий шар нітриду або окислів металів і знижувати температуру проведення процесу гетерування.

Ключові  слова: швидкодифундуючі домішки, планарнi леговані області, гетеуючий шар, моделювання, центри захоплення.


Повний текст:

PDF

Посилання


Литвиненко В.Н., Богач Н.В. Дефекты и примеси в кремнии и методы их геттерирования / Вестник ХНТУ, г. Херсон. – №1(60), 2017. – С.32-42.

Якимов Ю.А. Моделирование процессов геттерирования генерационно-рекомбинационных центров в кремнии при диффузии фосфора и бора / Ю. А. Якимов, Е. А. Климанов // Прикладная физика, 2015. - № 5. – С.15-20.

Назыров Д.Э. Геттерирование золота самарием и гадолинием в кремнии / Д.Э. Назыров // Электронная обработка материалов, 2007. - №3. – С. 77-82.

Прокопьев Е.П. Модель геттерирования примесей металлов в структурах кремний на изоляторе / Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков // Материаловедение, 2006. - №3. - С.2-7.

Литовченко В.Г. Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії / В. Г. Литовченко, В. М. Насєка, А. А. Євтух // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 1. - С. 76-82.

Логуш О.І., Павлиш В.А . Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / Логуш О.І., Павлиш В.А . // Видавництво Національного університету „Львівська політехніка” . - №646 (2009). – С. 95-103.

Литовченко В.Г. Эффект планарного геттерирования при эпитаксиальном наращивании пленок кремния / В.Г. Литовченко, В.Н. Романюк, В.П. Шаповалов и др. // Оптоэлектронника и полупроводниковая техника, 1986. – Вып. 10. – С. 84-92.

Baldi L. Gold solubility in silicon and gettering by phos – phorus / L. Baldi, G.F. Cerofolini, G. Ferla, G. Friderio// Phys. Stat. Sol. – 1978. - V. 48.- №3. - P. 523-532.

Tseng W.F. Simultaneous gettering of Au in silicon by phosphorus fnd dislocations / W.F. Treng, T. Koji, J.W. Mayer // Appl. Phys. Lett.– 1978. – V.33. - №5. – P. 442-444.

Фистуль В.И. Распад перенасыщенных твердых растворов. – М.: Металлургия, 1977. - 240с.

Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. – 248с.

Гусев В.А. Перераспределение точечных дефектов в кремниевых пластинах при геттерировании слоем / В.А. Гусев, Н.В. Богач, В.Л. Каменский // Диэлектрики и полупроводники, 1984. – Вып. 25. – С. 88-94.

Арамович И.Г., Левин В.И. Уравнения математичесой физики. – М.: Наука, 1969. – 288с.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.