УЛУЧШЕНИЕ ОБРАТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ

Виктор Николаевич Литвиненко, Галина Геннадиевна Дощенко, Николай Александрович Самойлов

Анотація


Данная работа посвящена исследованию причин низкого процента выхода годных диодов и разработке эффективного технологичного метода геттерирования структурных дефектов в кремнии с целью уменьшения плотности дефектов и повышения выхода годных диодов.

Ключові слова


геттерирование; обратный ток; кремний; диод; диффузия; окислительные дефекты упаковки

Повний текст:

PDF

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.