ПРИМЕНЕНИЕ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКИСЛА КРЕМНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Александр Николаевич Фролов, Геннадий Иванович Крапивко, Александр Игоревич Марончук, Николай Александрович Самойлов

Анотація


В статье приведены технологические процессы изготовления высоковольтных диодов, варикапов и диодов Шоттки с применением слоев пористого анодного окисла кремния. Показано, что особенности роста анодного окисла кремния при повышенном напряжении позволяют значительно улучшить совокупность параметров и характеристик как приборов с p-n переходами, так и диодов Шоттки.

Ключові слова


пористый анодный окисел кремния, варикап, диод Шоттки

Повний текст:

PDF

Посилання


Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я. А. Федотова. – М.: Сов. радио, 1973. – 336 с.

Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. – М.: Высшая школа, 1974. – 400 с.

Диоды: справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев. – М.: Радио и связь, 1990. – 336 с.

Фролов О.М., Шевченко В.В., Філіпщук О.М. та ін. Патент на корисну модель №102197. Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю. МПК: HOIL 29/93 (2006.01), HO1L 21/31(2006.01), HO1L 21/329. (2006.01), опубл. 26.10.2015. Бюл. №20.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Книга 1. Перевод с англ.- 2-е переработанное и дополненное изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Минск: Выш. школа, 1982. – 224 с.

Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. Издание 2-е, переработанное и дополненное. – М.: Энергия, 1971. – 272 с.

Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение). Под ред. В.И. Стрихи. – М.: Сов. радио, 1974. – 248 с.

Фролов О.М., Селиверстова С.Р., Селиверстов И.А. Патент на корисну модель №60700. Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем. МПК: HO1L 21/04 (2006.01), HO1L 21/31 (2006.01), HO1L 21/329 (2006.01). Опубл. 25.06.2011. Бюл. №12.

Фролов О.М., Шутов С.В., Самойлов М.О., Деменський О.М. Патент на корисну модель №79669. Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем. МПК: HO1L 21/04 (2006.01), HO1L 21/31 (2006.01), HO1L 21/329 (2006.01), HO1L 29/872 (2006.01). Опубл. 25.04.2013. Бюл. №18.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.