ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ

Виктор Николаевич Литвиненко, Галина Геннадиевна Дощенко, Николай Александрович Самойлов

Анотація


Представлены экспериментальные результаты влияния геттерирования пленкой халькогенидного стекла Ge28Sb12Se60 на выход годных диодных структур. Приведены технологические режимы проведения процесса геттерирования пленкой халькогенидного стекла примесей на поверхности диодных структур. Рассмотрены механизмы воздействия процесса геттерирования  на обратные токи диода.

Ключові слова


халькогенидные стекла; геттерирование; обратный ток; диодные структуры; отжиг; примеси

Повний текст:

PDF

Посилання


Агаларзаде П.С. Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n перехода / П.С. Агаларзаде, А.И. Петрин, С.О. Изидинов. – М.: Сов. радио, 1978. - 224с. 2. Блихер А. Физика силовых и биполярных транзисторов / А. Блихер. – Л.: Энергоатомиздат, 1986.- 248с. 3. Смульский А.С. Бездислокационный кремний и создание современных полупроводниковых приборов / А.С. Смульский // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – Вып. 12(668). – М: ЦНИИ «Электроника», 1979. – С. 43-51. 4. Лабунов В.А. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники /В.А. Лабунов, И.Л. Баранов, В.П. Бондаренко, А.М. Дорофеев //Зарубежная электронная техника. – № 11(270), 1983. – М.: ЦНИИ “Электроника”. - С. 3-66. 5. Богач Н.В. Геттерирование дефектов и примесей тяжелых металлов в кремнии / Н.В. Богач, В.А. Гусев, П.Г. Литовченко // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. – К., 1981. – Вып. 34. – С. 3-20. 6. Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в кремнии нарушением абразивной обработкой флоем / А.Н. Бурмистров, А.И. Пекарев, А.Ф. Яремчук // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - Вып. 5(111), 1984. - С. 66-72. 7. Верховский Е.И. Методы геттерирования примесей в кремнии / Е.И. Верховский // Обзоры по электронной технике. Ч.І. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – Вып. 8(838). – М: ЦНИИ «Электроника», 1981. – С. 2-45с. 8. Медведев В.С. Геттерирующие свойства пленок нитрида кремния, полученных методом ВЧ реактивного распыления / В.С. Медведев // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - Вып. 1(97), 1982. - С. 42-46. 9. Довгошей Н.И. Кристаллические и аморфные пленки новых сложных полупроводников / Н.И. Довгошей. – Ужгород: издательство Ужгородского госуниверситета, 1986. - 110с. 10. Курносов А.И. Технология изготовления ПП и ИМС / А.И. Курносов, В.В. Юдин. – М.: Радио и связь, 1986. - 368 с. 11. Пичугин И.Г. Технология полупроводниковых приборов / И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров. – М.: Высшая школа, 1984. - 288с. 12. Мазель Е.И. Планарная технология кремниевых приборов / Е.И. Мазель, Ф.П. Пресс. – М.: Энергия, 1974. - 384с. 13. Новиков А.А., Новиков В.А., Ляшенко Н.В. РАЗРАБОТКА ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ КЛАССИФИКАТОРА РАДИОЭЛЕМЕНТОВ // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2015. – № 2; URL: biofbe.esrae.ru/202-997 (дата обращения: 15.11.2016). 14. Новикова Л.В., Жаркова Д.Г. РАЗРАБОТКА УСТРОЙСТВА ДЛЯ ПОВЕРКИ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ // Биомедицинская инженерия и электроника, 2014, № 2(6). - c. 1-15; URL: biofbe.esrae.ru/199-968 (дата обращения: 15.11.2016).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.